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用集成到西门子型工艺中的流化床反应器生产硅

发明专利无效专利

申请号：
CN200780032303.X
IPC分类号：C01B33/035;C01B33/03
申请日期：
2007-06-14
申请人：
赫姆洛克半导体公司

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法律信息

引证文献

著录项信息

专利名称	用集成到西门子型工艺中的流化床反应器生产硅
申请号	CN200780032303.X	申请日期	2007-06-14
法律状态	驳回	申报国家	暂无
公开/公告日	2009-09-23	公开/公告号	CN101541678
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	C01B33/035 ? IPC结构图谱： C 化学；冶金 C0 化学 C01 无机化学 C01B 非金属元素；其化合物（制备元素或二氧化碳以外无机化合物的发酵或用酶工艺入C12P 3/00；用电解法或电泳法生产非金属元素或无机化合物入C25B） C01B33/00 硅；其化合物（C01B 21/00，C01B 23/00优先；过硅酸盐入 C01B 15/14；碳化物入C01B32/956）〔1，3，2006.01〕 C01B33/02 硅（形成单晶或有一定结构的均匀多晶材料入C30B）〔5〕 C01B33/021 制备（由气相的化学涂层入C23C 16/00）〔5〕 C01B33/027 使用除二氧化硅或含二氧化硅物料以外的气态或汽化的硅化合物的分解或还原〔5〕 C01B33/035 在存在硅、碳或耐熔金属（如钽或钨）的热丝情况下，或在存在热硅棒［通过沉积硅，如西门子法（siemens process）获得硅棒］情况下，用气态或汽化的硅化合物的分解或还原〔5〕	IPC分类号	C;0;1;B;3;3;/;0;3;5;;;C;0;1;B;3;3;/;0;3查看分类表>
申请人	赫姆洛克半导体公司	申请人地址	美国密执安变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	赫姆洛克半导体公司	当前权利人	赫姆洛克半导体公司
发明人	A·N·阿维德森;M·莫尔纳
代理机构	中国国际贸易促进委员会专利商标事务所	代理人	孙爱

摘要

使用流化床反应器和西门子反应器来生产多晶硅。该工艺包括将来自西门子反应器的排放气体作为进料气进料到所述流化床反应器中。

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