一种基于MEMS的金属氧化物气体传感器及制备工艺

发明专利有效专利

申请号：
CN201310586102.1
IPC分类号：G01N27/26;B81C1/00;B81B7/02
申请日期：
2013-11-18
申请人：
西安交通大学

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著录项信息

专利名称	一种基于MEMS的金属氧化物气体传感器及制备工艺
申请号	CN201310586102.1	申请日期	2013-11-18
法律状态	暂无	申报国家	中国
公开/公告日	2014-03-26	公开/公告号	CN103675048A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	G01N27/26 ? IPC结构图谱： G 物理 G0 仪器 G01 测量；测试 G01N （除免疫测定法以外包括酶或微生物的测量或试验入C12M，C12Q） G01N27/00 用电、电化学或磁的方法测试或分析材料（G01N 3/00至G01N 25/00优先；电或磁变量的测量或试验，材料的电磁性能的测试或试验入G01R） G01N27/26 通过测试电化学变量；用电解或电泳法〔5〕	IPC分类号	G;0;1;N;2;7;/;2;6;;;B;8;1;C;1;/;0;0;;;B;8;1;B;7;/;0;2查看分类表>
申请人	西安交通大学	申请人地址	广东省深圳市宝安区西乡街道桃花源科技创新园蚝业分园A栋2-3楼变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	深圳市天地通电子有限公司	当前权利人	深圳市天地通电子有限公司
发明人	王海容;陈磊;王嘉欣;孙侨;肖利辉;孙全涛;蒋庄德
代理机构	西安通大专利代理有限责任公司	代理人	汪人和

摘要

本发明公开了一种基于MEMS的金属氧化物气体传感器及制备工艺，其特征在于，气体传感器由Si基底、绝缘层、两个薄膜电阻加热元件、矩形微阵列、一对敏感电极及生长在矩形微阵列上的金属氧化物三维多级纳米结构组成。Si基底下部被各向异性湿法刻蚀去掉部分Si。在正面，加热元件与敏感电极按中心对称、螺旋形式布置，矩形微阵列居中心位置，三者处同一层。加热元件兼做测温元件。采用水热法合成的纳米结构通过相互交叉的枝状结构实现桥式电学连接，最终与敏感电极相连，通过改变矩形微阵列排列方式、更换不同种类的纳米材料，可加工出不同测量通路、基于不同种类敏感物质的金属氧化物纳米气体传感器。

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