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一种提高芯片轴向出光亮度的方法

发明专利无效专利
  • 申请号:
    CN200610117094.6
  • IPC分类号:H01L33/00
  • 申请日期:
    2006-10-13
  • 申请人:
    杭州士兰明芯科技有限公司
著录项信息
专利名称一种提高芯片轴向出光亮度的方法
申请号CN200610117094.6申请日期2006-10-13
法律状态权利终止申报国家中国
公开/公告日2008-04-16公开/公告号CN101162748
优先权暂无优先权号暂无
主分类号H01L33/00IPC分类号H;0;1;L;3;3;/;0;0查看分类表>
申请人杭州士兰明芯科技有限公司申请人地址
浙江省杭州市杭州经济技术开发区东区10号路308号 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人杭州士兰明芯科技有限公司当前权利人杭州士兰明芯科技有限公司
发明人陈立人
代理机构上海专利商标事务所有限公司代理人郭蔚
摘要
本发明公开了一种提高芯片轴向出光度的方法,其特征在于,所述方法进一步包括:步骤一,在蓝宝石衬底表面蒸镀上一层厚度在1~50纳米之间的镍金属;步骤二,用600~900摄氏度的温度进行快速退火30~300秒,此时镍金属将形成直径约200~400纳米的小球状,以此作为掩模;步骤三,选择性的刻蚀蓝宝石衬底表面,深度在100~500纳米范围内;步骤四,去除所述蓝宝石衬底上的所述镍金属;步骤五,将所述衬底生长氮化铟镓外延层。本发明的技术方案可以减少出射光的全反射现象并且提高轴向亮度。

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