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一种基于无缝隙平面键合的薄膜LED芯片器件制造方法

发明专利有效专利
  • 申请号:
    CN200810138076.5
  • IPC分类号:H01L33/00
  • 申请日期:
    2008-07-11
  • 申请人:
    厦门市三安光电科技有限公司
著录项信息
专利名称一种基于无缝隙平面键合的薄膜LED芯片器件制造方法
申请号CN200810138076.5申请日期2008-07-11
法律状态授权申报国家中国
公开/公告日2009-06-24公开/公告号CN101465402
优先权暂无优先权号暂无
主分类号H01L33/00IPC分类号H;0;1;L;3;3;/;0;0查看分类表>
申请人厦门市三安光电科技有限公司申请人地址
福建省厦门市思明区吕岭路1721-1725号 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人厦门市三安光电科技有限公司当前权利人厦门市三安光电科技有限公司
发明人陈文欣;林雪娇;潘群峰;吴志强;洪灵愿
代理机构厦门原创专利事务所代理人徐东峰
摘要
本发明所公开的一种基于无缝隙平面键合的薄膜LED芯片器件制造方法,利用未经隔离化处理的外延片平坦表面进行永久性或暂时性基板的制备,再利用激光束对上述外延层与基板的界面处进行器件单元隔离化处理,从而保证了基板与外延层的结合良率,即确保了激光剥离外延薄膜层的留膜良率,并简化了传统制造工艺。

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