用于结构化由两个半导体层组成的层结构的方法及微机械部件

发明专利有效专利

申请号：
CN201510079465.5
IPC分类号：B81C1/00;B81B7/02
申请日期：
2015-02-13
申请人：
罗伯特·博世有限公司

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著录项信息

专利名称	用于结构化由两个半导体层组成的层结构的方法及微机械部件
申请号	CN201510079465.5	申请日期	2015-02-13
法律状态	授权	申报国家	中国
公开/公告日	2015-08-19	公开/公告号	CN104843634A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	B81C1/00 ? IPC结构图谱： B 作业；运输 B8 微观结构技术；纳米技术 B81 微观结构技术〔7〕 B81C 专门适用于制造或处理微观结构装置或系统的方法或设备（制造微胶囊或微球入B01J13/02；专门适用于制造或处理压电器件、电致伸缩器件或磁致伸缩器件的方法或设备本身入H01L41/22）〔7〕 B81C1/00 在基片内或其上制造或处理的装置或系统（B81C 3/00优先）〔7〕	IPC分类号	B;8;1;C;1;/;0;0;;;B;8;1;B;7;/;0;2查看分类表>
申请人	罗伯特·博世有限公司	申请人地址	德国斯图加特变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	罗伯特·博世有限公司	当前权利人	罗伯特·博世有限公司
发明人	S·安布鲁斯特;F·菲舍尔;J·巴德尔;R·施特劳布
代理机构	永新专利商标代理有限公司	代理人	郭毅

摘要

本发明涉及一种用于通过以下方式结构化由两个半导体层与位于两个半导体层之间的绝缘层和/或蚀刻停止层组成的层结构的方法：在两个半导体层中的第一半导体层的第一侧上构造第一蚀刻掩膜；实施从第一外侧出发的用于结构化第一半导体层的第一蚀刻步骤，在两个半导体层中的第二半导体层的第二侧上构造第二蚀刻掩膜；实施从第二外侧出发的用于结构化第二半导体层的第二蚀刻步骤，其中，在实施第一蚀刻步骤之后并且在实施第二蚀刻步骤之前，在至少一个在第一蚀刻步骤中蚀刻的第一沟槽的至少一个沟槽壁上沉积至少一种蚀刻保护材料。本发明同样涉及一种用于微机械部件的制造方法。此外，本发明涉及一种微机械部件。

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