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一种改善闪存单元的工艺集成方法

发明专利有效专利
  • 申请号:
    CN201711099991.3
  • IPC分类号:H01L27/11517
  • 申请日期:
    2017-11-09
  • 申请人:
    上海华力微电子有限公司
著录项信息
专利名称一种改善闪存单元的工艺集成方法
申请号CN201711099991.3申请日期2017-11-09
法律状态授权申报国家中国
公开/公告日2018-04-06公开/公告号CN107887390A
优先权暂无优先权号暂无
主分类号H01L27/11517
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IPC结构图谱:
IPC分类号H;0;1;L;2;7;/;1;1;5;1;7查看分类表>
申请人上海华力微电子有限公司申请人地址
上海市浦东新区张江开发区高斯路568号 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人上海华力微电子有限公司当前权利人上海华力微电子有限公司
发明人田志;蔡彬;殷冠华;陈昊瑜
代理机构上海思微知识产权代理事务所(普通合伙)代理人智云
摘要
本发明提出一种改善闪存单元的工艺集成方法,包括:器件离子注入形成衬底结构;依次沉积闪存氧化层、浮栅多晶硅层和氮化硅层;形成浅沟槽隔离结构并在其中沉积氧化硅层;进行预清洗处理,刻蚀去除部分氮化硅层以及浅沟槽隔离结构中的部分氧化硅层,露出浮栅多晶硅尖角;氧化露出的浮栅多晶硅尖角,使尖角处圆滑;进行刻蚀处理,去除浅沟槽隔离结构中的部分氧化硅层,同时去除用于浮栅多晶硅尖角圆化的氧化硅;刻蚀去除所述氮化硅层直至露出所述浮栅多晶硅层。本发明利用增加的氧化硅将浮栅极的尖角提前圆弧化,同时实现浮栅极尖角的圆弧化和闪存单元浮栅极顶部未受损伤的闪存单元,从而为继续缩减的闪存单元提供了另一种优化的方法。

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