一种改善闪存单元的工艺集成方法

发明专利有效专利

申请号：
CN201711099991.3
IPC分类号：H01L27/11517
申请日期：
2017-11-09
申请人：
上海华力微电子有限公司

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著录项信息

专利名称	一种改善闪存单元的工艺集成方法
申请号	CN201711099991.3	申请日期	2017-11-09
法律状态	授权	申报国家	中国
公开/公告日	2018-04-06	公开/公告号	CN107887390A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	H01L27/11517 ? IPC结构图谱： H 电学 H9 电学 H01 基本电气元件 H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G 9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中半导体器件的使用见该应用的小类）〔2〕 H01L27/00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件（其零部件入H01L 23/00，H01L 29/00至H01L 51/00；由多个单个固态器件组成的组装件入H01L 25/00）〔2，8〕 H01L27/02 包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的〔2〕 H01L27/04 其衬底为半导体的〔2〕 H01L27/10 在重复结构中包括有多个独立组件的〔2〕 H01L27/105 包含场效应组件的〔5〕 H01L27/112 只读存储器结构的〔5〕 H01L27/115 电动编程只读存储器；其多步骤制造方法〔5，2006.01，2017.01〕 H01L27/11517 具有浮栅的〔2017.01〕	IPC分类号	H;0;1;L;2;7;/;1;1;5;1;7查看分类表>
申请人	上海华力微电子有限公司	申请人地址	上海市浦东新区张江开发区高斯路568号变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	上海华力微电子有限公司	当前权利人	上海华力微电子有限公司
发明人	田志;蔡彬;殷冠华;陈昊瑜
代理机构	上海思微知识产权代理事务所（普通合伙）	代理人	智云

摘要

本发明提出一种改善闪存单元的工艺集成方法，包括：器件离子注入形成衬底结构；依次沉积闪存氧化层、浮栅多晶硅层和氮化硅层；形成浅沟槽隔离结构并在其中沉积氧化硅层；进行预清洗处理，刻蚀去除部分氮化硅层以及浅沟槽隔离结构中的部分氧化硅层，露出浮栅多晶硅尖角；氧化露出的浮栅多晶硅尖角，使尖角处圆滑；进行刻蚀处理，去除浅沟槽隔离结构中的部分氧化硅层，同时去除用于浮栅多晶硅尖角圆化的氧化硅；刻蚀去除所述氮化硅层直至露出所述浮栅多晶硅层。本发明利用增加的氧化硅将浮栅极的尖角提前圆弧化，同时实现浮栅极尖角的圆弧化和闪存单元浮栅极顶部未受损伤的闪存单元，从而为继续缩减的闪存单元提供了另一种优化的方法。

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该专利没有引用任何外部专利数据！

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