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一种实现PN结整流特性的结构

发明专利无效专利

申请号：
CN201810364841.9
IPC分类号：H01L29/15;H01L29/205
申请日期：
2018-04-23
申请人：
中国科学院物理研究所

基础信息

权利要求

说明书

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法律信息

引证文献

著录项信息

专利名称	一种实现PN结整流特性的结构
申请号	CN201810364841.9	申请日期	2018-04-23
法律状态	撤回	申报国家	中国
公开/公告日	2019-10-29	公开/公告号	CN110391291A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	H01L29/15 ? IPC结构图谱： H 电学 H9 电学 H01 基本电气元件 H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G 9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中半导体器件的使用见该应用的小类）〔2〕 H01L29/00 专门适用于整流、放大、振荡或切换，并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的半导体器件；具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒，例如PN结耗尽层或载流子集结层的电容器或电阻器；半导体本体或其电极的零部件（H01L 31/00至H01L 47/00，H01L 51/05优先；除半导体或其电极之外的零部件入H01L 23/00；由在一个共用衬底内或其上形成的多个固态组件组成的器件入H01L 27/00）〔2，6〕 H01L29/02 按其半导体本体的特征区分的〔2〕 H01L29/12 按其构成材料的特征区分的〔2〕 H01L29/15 带有周期性或准周期性电势变化的结构，如多量子阱、超晶格（应用于光控制的这种结构入G02F1/017；应用于半导体激光器的入H01S5/34）〔6，2006.01〕	IPC分类号	H;0;1;L;2;9;/;1;5;;;H;0;1;L;2;9;/;2;0;5查看分类表>
申请人	中国科学院物理研究所	申请人地址	北京市海淀区中关村南三街8号变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	中国科学院物理研究所	当前权利人	中国科学院物理研究所
发明人	吴海燕;马紫光;胡巍;乐艮;贾海强;陈弘
代理机构	北京泛华伟业知识产权代理有限公司	代理人	王勇;李科

摘要

本发明提供一种实现PN结整流特性的结构，包括：衬底、以及从所述衬底向上依次排列的第一n‑GaN层、第一InGaN量子阱层、第一GaN层、AlGaN势垒层、第二GaN层、第二InGaN量子阱层和第二n‑GaN层。本发明的结构能够实现良好的整流特性。

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