改进型存储器错误检测方法及装置

发明专利无效专利

申请号：
CN201610053290.5
IPC分类号：G11C29/42;G11C29/56
申请日期：
2016-01-26
申请人：
中国科学院微电子研究所

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著录项信息

专利名称	改进型存储器错误检测方法及装置
申请号	CN201610053290.5	申请日期	2016-01-26
法律状态	驳回	申报国家	中国
公开/公告日	2016-06-29	公开/公告号	CN105719702A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	G11C29/42 ? IPC结构图谱： G 物理 G9 G部其他 G11 信息存储 G11C 静态存储器（基于记录载体和换能器之间的相对运动而实现的信息存储入G11B；半导体存储器件入H01L，例如一般脉冲技术入H03K，例如，电子开关入H03K17/00） G11C29/00 存储器正确运行的校验；备用或离线操作期间测试存储器〔1，8〕 G11C29/04 损坏存储元件的检测或定位〔8〕 G11C29/08 功能测试，例如，在刷新、通电自检〔POST〕或分布型测试期间的测试〔8〕 G11C29/12 用于测试的内置装置，例如，内置的自检装置〔BIST〕〔8〕 G11C29/38 响应验证装置〔8〕 G11C29/42 用纠错码〔ECC〕或奇偶校验检查〔8〕	IPC分类号	G;1;1;C;2;9;/;4;2;;;G;1;1;C;2;9;/;5;6查看分类表>
申请人	中国科学院微电子研究所	申请人地址	北京市朝阳区北土城西路3# 变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	中国科学院微电子研究所	当前权利人	中国科学院微电子研究所
发明人	叶甜春
代理机构	北京蓝智辉煌知识产权代理事务所（普通合伙）	代理人	陈红

摘要

一种存储器错误检测装置，在同一个芯片上包括控制装置、存储器单元阵列、页缓冲器、错误检测单元以及IO缓冲器，错误检测单元位于页缓冲器与IO缓冲器之间用于在控制装置的控制下对存储器单元阵列中的错误进行检测，其中，页缓冲器至少包括用于以将测试数据与预加载的参考数据进行比较的装置，错误检测单元至少包括预加载标志寄存器，用于记录芯片是否已经预加载了标准参考数据。依照本发明的存储器错误检测方法及装置，对在页缓冲器和IO缓冲器之间构建的内部错误检测单元以及检测流程进行优化，采用预加载参考数据技术结合页缓冲器内部比较机制，简化错误检测单元设计，缩短测试时间，提高测试效率。

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