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半导体设备封装及其制造方法

发明专利有效专利

申请号：
CN201910370050.1
IPC分类号：H01L23/31;H01L21/56;H01L21/60;H01L23/488;H01L25/16;H01Q1/22;H01Q21/06
申请日期：
2019-05-06
申请人：
日月光半导体制造股份有限公司

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权利要求

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法律信息

引证文献

著录项信息

专利名称	半导体设备封装及其制造方法
申请号	CN201910370050.1	申请日期	2019-05-06
法律状态	公开	申报国家	中国
公开/公告日	2020-09-04	公开/公告号	CN111627868A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	H01L23/31 ? IPC结构图谱： H 电学 H9 电学 H01 基本电气元件 H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G 9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中半导体器件的使用见该应用的小类）〔2〕 H01L23/00 半导体或其他固态器件的零部件（H01L 25/00优先）〔2，5〕 H01L23/28 封装，例如密封层、涂覆物（H01L 23/552优先）〔2，5〕 H01L23/31 按配置特点进行区分的〔5〕	IPC分类号	H;0;1;L;2;3;/;3;1;;;H;0;1;L;2;1;/;5;6;;;H;0;1;L;2;1;/;6;0;;;H;0;1;L;2;3;/;4;8;8;;;H;0;1;L;2;5;/;1;6;;;H;0;1;Q;1;/;2;2;;;H;0;1;Q;2;1;/;0;6查看分类表>
申请人	日月光半导体制造股份有限公司	申请人地址	中国台湾高雄市楠梓加工区经三路26号邮编81170 变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	日月光半导体制造股份有限公司	当前权利人	日月光半导体制造股份有限公司
发明人	陈湘祺;林政男
代理机构	北京律盟知识产权代理有限责任公司	代理人	蕭輔寬

摘要

本发明涉及一种半导体设备封装，其包含第一衬底、第二衬底、电接触和支撑元件。所述第一衬底具有第一表面。所述第二衬底具有面向所述第一衬底的所述第一表面的第一表面。所述电接触安置于所述第一衬底与所述第二衬底之间。所述支撑元件安置于所述第一衬底与所述第二衬底之间。所述支撑元件包含热固性材料。

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