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一种绝缘栅双极晶体管

发明专利有效专利
  • 申请号:
    CN201711415532.1
  • IPC分类号:H01L29/06;H01L29/423;H01L29/739
  • 申请日期:
    2017-12-22
  • 申请人:
    中国科学院微电子研究所
著录项信息
专利名称一种绝缘栅双极晶体管
申请号CN201711415532.1申请日期2017-12-22
法律状态授权申报国家中国
公开/公告日2018-06-05公开/公告号CN108122964A
优先权暂无优先权号暂无
主分类号H01L29/06IPC分类号H;0;1;L;2;9;/;0;6;;;H;0;1;L;2;9;/;4;2;3;;;H;0;1;L;2;9;/;7;3;9查看分类表>
申请人中国科学院微电子研究所申请人地址
北京市朝阳区北土城西路3号 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人中国科学院微电子研究所当前权利人中国科学院微电子研究所
发明人陆江;刘海南;蔡小五;卜建辉;罗家俊
代理机构北京华沛德权律师事务所代理人房德权
摘要
本申请提供的一种绝缘栅双极晶体管,涉及半导体器件领域,包括:N+发射极,Pwell区域,其中所述Pwell区域中设置有第一槽栅和第二槽栅;N漂移区;载流子存储层;P注入层;无圆胞区域,所述无圆胞区域中设置有局部栅极变窄偏置结构,其中,局部栅极变窄偏置结构包括:第一栅极,所述第一栅极在底部形成横向增宽的结构,且增宽方向朝向第二栅极;第二栅极,所述第二栅极在底部形成横向增宽的结构,且所述增宽方向朝向所述第一栅极。解决了现有技术中的绝缘栅双极晶体管载流子存储层技术浓度提高后,导致绝缘栅双极晶体管耐压降低的技术问题,达到了在大幅度降低导通压降同时,能够维持原有的耐压能力,从而全面提升器件的各项参数能力的技术效果。

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