首页专利查询专利详情

*来源于国家知识产权局数据,仅供参考,实际以国家知识产权局展示为准

一种具有高空穴迁移率的PLED聚合物及其制备方法

发明专利有效专利
  • 申请号:
    CN202010544310.5
  • IPC分类号:C08G61/02H01L51/54
  • 申请日期:
    2020-06-15
  • 申请人:
    冯旗
著录项信息
专利名称一种具有高空穴迁移率的PLED聚合物及其制备方法
申请号CN202010544310.5申请日期2020-06-15
法律状态实质审查申报国家中国
公开/公告日2020-08-25公开/公告号CN111574690A
优先权暂无优先权号暂无
主分类号C08G61/02IPC分类号C08G61/02;H01L51/54查看分类表>
申请人冯旗申请人地址
江西省九江市都昌县都昌镇周家嘴大红颐景园4幢1*** 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人冯旗当前权利人冯旗
发明人冯旗
代理机构暂无代理人暂无
摘要
本发明属有机发光显示领域,特别涉及一种具有高空穴迁移率的PLED聚合物及其制备方法。本发明提供了一种具有高空穴迁移率的PLED聚合物,其结构如式(I)所示。本发明还提供了一种具有高空穴迁移率的PLED聚合物的制备方法,包括将式(II)所示化合物和2,2'‑(9,9‑二辛基‑9H‑芴‑2,7‑二基)双(4,4,5,5‑四甲基‑1,3,2‑二氧杂硼烷)通过Suzuki偶联反应制得式(I)所示聚合物。本发明提供的一种具有高空穴迁移率的PLED聚合物及其制备方法,解决了现有的PLED器件空穴迁移率较低的技术问题。

专利服务由北京酷爱智慧知识产权代理公司提供