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电存储材料与数据存储器件

发明专利无效专利
  • 申请号:
    CN201310497293.4
  • IPC分类号:C08F112/14;H01L51/05;H01L51/30;H01L51/40
  • 申请日期:
    2013-10-21
  • 申请人:
    苏州大学
著录项信息
专利名称电存储材料与数据存储器件
申请号CN201310497293.4申请日期2013-10-21
法律状态撤回申报国家中国
公开/公告日2014-02-05公开/公告号CN103554317A
优先权暂无优先权号暂无
主分类号C08F112/14IPC分类号C;0;8;F;1;1;2;/;1;4;;;H;0;1;L;5;1;/;0;5;;;H;0;1;L;5;1;/;3;0;;;H;0;1;L;5;1;/;4;0查看分类表>
申请人苏州大学申请人地址
江苏省苏州市工业园区仁爱路199号 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人苏州大学当前权利人苏州大学
发明人路建美;李华
代理机构北京集佳知识产权代理有限公司代理人赵青朵
摘要
本发明提供了一种电存储材料与数据存储器件,该电存储材料如式(I)所示,其中,-R为-NO2、卤原子或-OR1;所述R1为烷基。与现有电存储材料相比,式(I)所示的电存储材料为侧链聚合物,侧链为大共轭平面分子,且该电存储材料骨架中含有硝基、卤原子、OR1、偶氮等吸电子基团,在电场下,侧链的共轭平面分子之间由原来的无序状态向有序状态转变,首先实现OFF-ON1态的转变,随着电场继续增大,注入的电荷将侧链的吸电子基团造成的电荷陷阱填满,实现ON1-ON2态的转变,因此,该电存储材料表现出对应于OFF-ON1-ON2三个导电态的0,1,2三个信号存储状态,从而具有三进制存储态。

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