多晶硅铸锭炉

实用新型专利无效专利

申请号：
CN200820056088.9
IPC分类号：C30B29/06;C30B28/06;C01B33/02;B22D27/04
申请日期：
2008-03-11
申请人：
上海汉虹精密机械有限公司

基础信息

权利要求

说明书

PDF全文

法律信息

引证文献

著录项信息

专利名称	多晶硅铸锭炉
申请号	CN200820056088.9	申请日期	2008-03-11
法律状态	权利终止	申报国家	中国
公开/公告日		公开/公告号
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	C30B29/06 ? IPC结构图谱： C 化学；冶金 C2 冶金 C30 晶体生长〔3〕 C30B 单晶生长（用超高压的，例如用于金刚石形成的入B01J 3/06）；共晶材料的定向凝固或共析材料的定向分层；材料的区熔精炼（金属或合金的区熔精炼入C22B）；具有一定结构的均匀多晶材料的制备（金属铸造，按同样工艺或装置的其他物质铸造入B22D；塑料的加工入B29；改变金属或合金的物理结构入C21D、C22F）；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料之后处理（用于半导体器件或元件生产的入H01L）；其所用的装置〔3〕 C30B29/00 以材料或形状为特征的单晶或具有一定结构的均匀多晶材料〔3，5〕 C30B29/02 元素〔3〕 C30B29/06 硅〔3〕	IPC分类号	C;3;0;B;2;9;/;0;6;;;C;3;0;B;2;8;/;0;6;;;C;0;1;B;3;3;/;0;2;;;B;2;2;D;2;7;/;0;4查看分类表>
申请人	上海汉虹精密机械有限公司	申请人地址	变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	上海汉虹精密机械有限公司,上海申和热磁电子有限公司	当前权利人	上海汉虹精密机械有限公司,上海申和热磁电子有限公司
发明人	河野贵之;贺贤汉
代理机构	上海天翔知识产权代理有限公司	代理人	吕伴

摘要

本实用新型公开的多晶硅铸锭炉，包括腔体；位于所述的腔体内的坩埚，所述的坩埚用于装入硅；位于所述腔体内且设置在所述坩埚四周的隔热材料；设置在所述隔热材料内的加热器；所述加热器对装入所述的坩埚内的硅进行加热；其特征在于，还包括：设置在所述的坩埚下部并位于所述的隔热材料内的冷却装置。所述的冷却装置上设置有一驱动所述的冷却装置运动的第二移动装置。本实用新型在使用坩埚制造具有单向凝固组织的硅锭时以低成本提供适合大规模生产的制造装置，同时提供能够安全制造的方法，其工业价值显然是很大的。

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
该专利没有引用任何外部专利数据！

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
该专利没有被任何外部专利所引用！

我浏览过的专利

专利服务由北京酷爱智慧知识产权代理公司提供