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一种Ge掺杂Mg2Si基热电薄膜及其制备方法

发明专利无效专利
  • 申请号:
    CN201510704624.6
  • IPC分类号:C23C14/35;C23C14/06
  • 申请日期:
    2015-10-27
  • 申请人:
    福州大学
著录项信息
专利名称一种Ge掺杂Mg2Si基热电薄膜及其制备方法
申请号CN201510704624.6申请日期2015-10-27
法律状态权利终止申报国家中国
公开/公告日2015-12-30公开/公告号CN105200382A
优先权暂无优先权号暂无
主分类号C23C14/35IPC分类号C;2;3;C;1;4;/;3;5;;;C;2;3;C;1;4;/;0;6查看分类表>
申请人福州大学申请人地址
福建省福州市闽侯县上街镇大学城学园路2号福州大学新区 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人福州大学当前权利人福州大学
发明人温翠莲;陈志坚;周白杨;詹晓章;黄小桂;熊锐;林逵
代理机构福州元创专利商标代理有限公司代理人蔡学俊
摘要
本发明公开了一种Ge掺杂Mg2Si基热电薄膜及其制备方法。采用磁控溅射沉积法进行双靶循环溅射制备得具有叠层结构的薄膜,随后采用真空退火获得Ge掺杂Mg2Si基热电薄膜。本发明利用Ge掺杂及薄膜低维化来提高Mg2Si基材料的热电性能,方法可控性强,可通过调整溅射功率、溅射时间比等参数来调整Ge元素的掺杂量;采用热处理来改善掺杂Ge元素的均匀性。本发明具有膜层与衬底结合力强、膜层均匀致密且工艺简单、成本低等优势,具有重大的工业应用价值。

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