半导体组件及其制造方法

发明专利有效专利

申请号：
CN201110109444.5
IPC分类号：H01L21/02;H01L21/308;H01L21/311;H01L29/06
申请日期：
2011-04-25
申请人：
南亚科技股份有限公司

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著录项信息

专利名称	半导体组件及其制造方法
申请号	CN201110109444.5	申请日期	2011-04-25
法律状态	授权	申报国家	中国
公开/公告日	2012-07-18	公开/公告号	CN102592967A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	H01L21/02 ? IPC结构图谱： H 电学 H9 电学 H01 基本电气元件 H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G 9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中半导体器件的使用见该应用的小类）〔2〕 H01L21/00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备〔2，8〕 H01L21/02 半导体器件或其部件的制造或处理〔2，8〕	IPC分类号	H;0;1;L;2;1;/;0;2;;;H;0;1;L;2;1;/;3;0;8;;;H;0;1;L;2;1;/;3;1;1;;;H;0;1;L;2;9;/;0;6查看分类表>
申请人	南亚科技股份有限公司	申请人地址	中国台湾桃园县龟山乡华亚科技园区复兴三路669号变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	南亚科技股份有限公司	当前权利人	南亚科技股份有限公司
发明人	苏品源;杨为栋;方玉宗
代理机构	北京英赛嘉华知识产权代理有限责任公司	代理人	余朦;王艳春

摘要

本发明公开了半导体组件的细微图案的制造方法，此方法包含在基底上依序形成基础层、第一屏蔽图案以及第二屏蔽图案，第一屏蔽图案具有第一宽度的相同特征及倾斜侧壁，第二屏蔽图案具有第二宽度的相同特征，其中任两个相邻的倾斜侧壁之间的最小距离等于第二宽度。使用第一屏蔽图案作为蚀刻屏蔽，蚀刻基础层形成具有第二宽度的第一开口，形成填充层覆盖在基底上，移除第二屏蔽图案，在填充层内形成第二开口，然后经由第二开口蚀刻第一屏蔽图案与基础层形成第三开口，移除填充层与第一屏蔽图案形成基础层图案，其具有第三宽度的相同特征，其中第三宽度等于第二宽度。

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