各向异性磁阻传感器垂直结构

实用新型专利无效专利

申请号：
CN201320863100.8
IPC分类号：H01L43/08;G01R33/09
申请日期：
2013-12-25
申请人：
杭州士兰集成电路有限公司

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著录项信息

专利名称	各向异性磁阻传感器垂直结构
申请号	CN201320863100.8	申请日期	2013-12-25
法律状态	放弃专利权	申报国家	中国
公开/公告日		公开/公告号
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	H01L43/08 ? IPC结构图谱： H 电学 H9 电学 H01 基本电气元件 H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G 9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中半导体器件的使用见该应用的小类）〔2〕 H01L43/00 应用电—磁或者类似磁效应的器件；专门适用于制造或处理这些器件或其部件的方法或设备（由在一个共用衬底内或其上形成的多个固态组件组成的器件入H01L 27/00）〔2〕 H01L43/08 磁场控制的电阻器〔2〕	IPC分类号	H;0;1;L;4;3;/;0;8;;;G;0;1;R;3;3;/;0;9查看分类表>
申请人	杭州士兰集成电路有限公司	申请人地址	浙江省杭州市(下沙)经济技术开发区东区10号路308号变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	杭州士兰集成电路有限公司	当前权利人	杭州士兰集成电路有限公司
发明人	闻永祥;季锋;刘琛;饶晓俊
代理机构	上海专利商标事务所有限公司	代理人	张振军

摘要

本实用新型提供的一种各向异性磁阻传感器垂直结构，该结构包括：半导体衬底；第一绝缘层，覆盖该半导体衬底；磁性电阻金属条，位于该第一绝缘层上；接触金属层，位于该磁性电阻金属条上；磁阻金属短路条，位于该接触金属层上；第二绝缘层，覆盖该磁阻金属短路条、磁性电阻金属条以及第一绝缘层，并且该第二绝缘层在该磁阻金属短路条的上方具有通孔；置位复位金属布线层，位于第二绝缘层上并通过该通孔与磁阻金属短路条接触；第三绝缘层，覆盖该置位复位金属布线层和第二绝缘层。本实用新型的各向异性磁阻传感器结构简单，并且其形成方法和微电子工艺的匹配性很好，适合大批量工业化生产，有利于提高产品的可靠性，具有广泛的应用性。

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
该专利没有引用任何外部专利数据！

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