发光装置及其制造方法

发明专利有效专利

申请号：
CN201480017609.8
IPC分类号：H01L33/56;H01L33/62
申请日期：
2014-03-27
申请人：
东芝北斗电子株式会社

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著录项信息

专利名称	发光装置及其制造方法
申请号	CN201480017609.8	申请日期	2014-03-27
法律状态	授权	申报国家	中国
公开/公告日	2015-11-11	公开/公告号	CN105051923A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	H01L33/56 ? IPC结构图谱： H 电学 H9 电学 H01 基本电气元件 H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G 9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中半导体器件的使用见该应用的小类）〔2〕 H01L33/00 至少有一个电位跃变势垒或表面势垒的专门适用于光发射的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或设备；这些半导体器件的零部件（H01L 51/00优先；由在一个公共衬底中或其上形成有多个半导体组件并包括具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒，专门适用于光发射的器件入H01L 27/15；半导体激光器入H01S 5/00）〔2，8，2010.01〕 H01L33/48 以半导体封装体为特征的〔2010.01〕 H01L33/52 封装〔2010.01〕 H01L33/56 材料，例如环氧树脂或硅树脂〔2010.01〕	IPC分类号	H;0;1;L;3;3;/;5;6;;;H;0;1;L;3;3;/;6;2查看分类表>
申请人	东芝北斗电子株式会社	申请人地址	日本北海道变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	东芝北斗电子株式会社	当前权利人	东芝北斗电子株式会社
发明人	卷圭一
代理机构	永新专利商标代理有限公司	代理人	杨谦;胡建新

摘要

实施方式的发光装置1具备第一以及第二透光性绝缘体(4、6)以及配置于它们之间的发光二极管(8)。发光二极管(8)的第一电极以及第二电极(9、10)，与设置于第一以及第二透光性绝缘体(4、6)的至少一方的表面的导电电路层(5、7)电连接。在第一透光性绝缘体(4)与第二透光性绝缘体(6)之间，埋入有第三透光性绝缘体(13)，该第三透光性绝缘体(13)具有80℃以上160℃以下的维卡软化温度以及0.01GPa以上10GPa以下的拉伸储存弹性模量的至少一方。

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
该专利没有引用任何外部专利数据！

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