low-k芯片的封装结构及其制造方法

发明专利有效专利

申请号：
CN201210362067.0
IPC分类号：H01L23/528;H01L23/48
申请日期：
2012-09-25
申请人：
中芯国际集成电路制造（上海）有限公司

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著录项信息

专利名称	low-k芯片的封装结构及其制造方法
申请号	CN201210362067.0	申请日期	2012-09-25
法律状态	授权	申报国家	中国
公开/公告日	2014-03-26	公开/公告号	CN103681605A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	H01L23/528 ? IPC结构图谱： H 电学 H9 电学 H01 基本电气元件 H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G 9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中半导体器件的使用见该应用的小类）〔2〕 H01L23/00 半导体或其他固态器件的零部件（H01L 25/00优先）〔2，5〕 H01L23/52 用于在处于工作中的器件内部从一个组件向另一个组件通电的装置〔2〕 H01L23/522 包含制作在半导体本体上的多层导电的和绝缘的结构的外引互连装置的〔5〕 H01L23/528 互连结构的布置〔5〕	IPC分类号	H;0;1;L;2;3;/;5;2;8;;;H;0;1;L;2;3;/;4;8查看分类表>
申请人	中芯国际集成电路制造（上海）有限公司	申请人地址	上海市浦东新区张江路18号变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	中芯国际集成电路制造（上海）有限公司	当前权利人	中芯国际集成电路制造（上海）有限公司
发明人	王冬江;张海洋
代理机构	北京德琦知识产权代理有限公司	代理人	牛峥;王丽琴

摘要

本发明公开了一种low?k芯片的封装结构，包括：衬底；在所述衬底上形成的芯片；在所述芯片上形成的金属层；所述金属层包括相互电连接的多个通孔和多根连接线，以及填充在所述通孔和连接线周围的超低介电常数材料的介质层；所述介质层中的最顶层介质层将位于金属层中的最顶层连接线覆盖；由位于金属层中的最顶层连接线到所述衬底底部，并穿通所述衬底的TSV孔；位于所述金属层的最顶层介质层上的焊盘，所述焊盘通过金属线与所述TSV孔位于所述衬底底部的一端电连接。本发明采用TSV孔将最顶层连接线直接引导至衬底底部，进而通过TSV孔的位于没有超低介电常数材料的衬底底部一端连接所述焊垫，因此不会产生超低介电常数的介质层的碎裂，进而改善了现有技术中出现的CPI问题。

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该专利没有引用任何外部专利数据！

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