一种断口试样剖面的EBSD样品制备方法

发明专利有效专利

申请号：
CN202010509221.7
IPC分类号：G01N1/32
申请日期：
2020-06-07
申请人：
首钢集团有限公司

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著录项信息

专利名称	一种断口试样剖面的EBSD样品制备方法
申请号	CN202010509221.7	申请日期	2020-06-07
法律状态	实质审查	申报国家	中国
公开/公告日	2020-11-24	公开/公告号	CN111982642A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	G01N1/32 ? IPC结构图谱： G 物理 G0 仪器 G01 测量；测试 G01N （除免疫测定法以外包括酶或微生物的测量或试验入C12M，C12Q） G01N1/00 取样；制备测试用的样品（用于自动分析的材料处理入G01N 35/00） G01N1/28 测试用样品的制备（将样品安装在显微镜载片上入G02B 21/34；电子显微镜中支承被分析的物品或材料的装置入H01J 37/20） G01N1/32 抛光；腐蚀	IPC分类号	G;0;1;N;1;/;3;2查看分类表>
申请人	首钢集团有限公司	申请人地址	北京市石景山区石景山路68号变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	首钢集团有限公司	当前权利人	首钢集团有限公司
发明人	孟杨;崔桂彬;邱宇;鞠新华
代理机构	北京华谊知识产权代理有限公司	代理人	暂无

摘要

一种断口试样剖面的EBSD样品制备方法，属于金属显微分析技术领域。具体步骤为截取断口附近2～3mm的试样，镶嵌后在室温下放置36～48小时待树脂完全固化；试样磨平和抛光后再进行精抛光，最后进行EBSD信号采集和分析，利用Channel 5程序中的Strain Contouring模块对扫描数据做微观应变分析，每个晶粒的微观应变为S＝Δmax×G，通过高斯平滑处理把各个晶粒的微观应变散点分布平滑成强度分布，高斯平滑处理的半高宽根据试样显微组织确定。优点在于，能够获得断口边缘平整无倒角、无应力的抛光剖面，实现在断口边缘10μm以内的区域连续采集EBSD信号。

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