一种连续制备二维纳米薄膜的设备

实用新型专利无效专利

申请号：
CN201220143736.0
IPC分类号：C23C14/06;C23C14/22;C23C16/44
申请日期：
2012-04-02
申请人：
徐明生

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专利名称	一种连续制备二维纳米薄膜的设备
申请号	CN201220143736.0	申请日期	2012-04-02
法律状态	权利终止	申报国家	中国
公开/公告日		公开/公告号
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	C23C14/06 ? IPC结构图谱： C 化学；冶金 C2 冶金 C23 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制〔2〕 C23C 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆（挤压法制造包覆金属的产品入B21C23/22；通过将预先存在的薄层连接到制品上的方法用金属进行镀覆处理的见各有关位置，例如B21D39/00，B23K；玻璃的金属化入C03C；砂浆、混凝土、人造石、陶瓷或天然石的金属化入C04B41/00；金属的搪瓷或向金属上镀覆玻璃体层入c23D；用电解法或电泳法处理金属表面或镀覆金属入C25D；单晶膜生长入C30B；纺织品的金属化入D06M11/83；用局部金属化法装饰纺织品入D06Q1/04）〔4〕 C23C14/00 通过覆层形成材料的真空蒸发、溅射或离子注入进行镀覆〔4，2006.01〕 C23C14/06 以镀层材料为特征的（C23C 14/04优先）〔4〕	IPC分类号	C;2;3;C;1;4;/;0;6;;;C;2;3;C;1;4;/;2;2;;;C;2;3;C;1;6;/;4;4查看分类表>
申请人	徐明生	申请人地址	浙江省杭州市浙大路38号浙江大学硅材料国家重点实验室变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	徐明生	当前权利人	徐明生
发明人	徐明生
代理机构	浙江杭州金通专利事务所有限公司	代理人	刘晓春

摘要

本实用新型公开了一种连续制备二维纳米薄膜的设备，包括进料腔室、样品制备腔室、出料腔室等；各腔室之间设有阀门，样品通过滚轮或传送带等样品传送装置实现在各腔室之间传输；各腔室分别连接独立的抽真空装置和气体管道；样品制备腔室设有物理气相沉积系统如溅射靶薄膜沉积系统、热蒸镀系统、电子枪沉积系统、离子注入沉积系统或化学气相沉积系统等；进料腔室可设有加热装置或等离子体等表面处理的系统，出料腔室可设有加热装置等；整台设备设有自动化控制系统以控制腔室之间的阀门的开关，样品的传输，真空系统的运转，气体流量的控制等。利用本设备，可以采用不同的技术方法制备二维纳米薄膜包括石墨烯、过镀金属硫化物、硅烯、锗烯或氮化硼等。本设备结构简单、工作可靠，可大面积地连续制备均匀的石墨烯、过镀金属硫化物、硅烯、锗烯或氮化硼等二维纳米薄膜，适合于二维纳米薄膜的产业化制备。

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