半导体干式蚀刻机台

实用新型专利有效专利

申请号：
CN201820604575.8
IPC分类号：H01J37/32;H01L21/3065
申请日期：
2018-04-25
申请人：
长鑫存储技术有限公司

基础信息

权利要求

说明书

PDF全文

法律信息

引证文献

著录项信息

专利名称	半导体干式蚀刻机台
申请号	CN201820604575.8	申请日期	2018-04-25
法律状态	授权	申报国家	中国
公开/公告日		公开/公告号
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	H01J37/32 ? IPC结构图谱： H 电学 H9 电学 H01 基本电气元件 H01J 放电管或放电灯（火花隙入H01T；消耗电极的弧光灯入H05B；粒子加速器入H05H） H01J37/00 有把物质或材料引入使受到放电作用的结构的电子管，例如为了对其检验或加工的（H01J 33/00、H01J 40/00、H01J 41/00、H01J 47/00、H01J 49/00优先）〔2，5〕 H01J37/32 充气放电管（放电加热的入H05B）	IPC分类号	H;0;1;J;3;7;/;3;2;;;H;0;1;L;2;1;/;3;0;6;5查看分类表>
申请人	长鑫存储技术有限公司	申请人地址	安徽省合肥市经济技术开发区翠微路6号海恒大厦630室变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	长鑫存储技术有限公司	当前权利人	长鑫存储技术有限公司
发明人	不公告发明人
代理机构	上海市锦天城律师事务所	代理人	何金花

摘要

本实用新型属于半导体技术领域，具体为一种半导体干式蚀刻机台该机台包括依次设置的气闸室、真空传输室以及工艺腔，气闸室通过氮气管二连通于氮气源一；氮气管二上设有氮气阀门一；真空传输室与工艺腔均通过氮气管一连通于氮气源二；真空传输室通过支管组(第一支管与第二支管的组合)与氮气管一连通，支管组包括并列设置的第一支管与第二支管以及第三支管，第一支管与氮气管一连通；第一支管上同时设有压力控制器与氮气阀门二；第二支管通过氮气阀门三与所述氮气管一连通；工艺腔通过第三支管连通于氮气管一，第三支管上设有氮气阀门四。通过改进氮气管道设计，可以简单又有效率地预防硅片产品缺陷的产生并达到降低生产成本的效益。

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
该专利没有引用任何外部专利数据！

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
该专利没有被任何外部专利所引用！

我浏览过的专利

专利服务由北京酷爱智慧知识产权代理公司提供