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半导体器件及制造图像传感器器件的方法

发明专利有效专利
  • 申请号:
    CN201611155540.2
  • IPC分类号:H01L27/146
  • 申请日期:
    2016-12-14
  • 申请人:
    台湾积体电路制造股份有限公司
著录项信息
专利名称半导体器件及制造图像传感器器件的方法
申请号CN201611155540.2申请日期2016-12-14
法律状态实质审查申报国家中国
公开/公告日2017-11-10公开/公告号CN107342300A
优先权暂无优先权号暂无
主分类号H01L27/146IPC分类号H;0;1;L;2;7;/;1;4;6查看分类表>
申请人台湾积体电路制造股份有限公司申请人地址
中国台湾新竹 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人台湾积体电路制造股份有限公司当前权利人台湾积体电路制造股份有限公司
发明人朱彦璋;杜友伦;蔡正原
代理机构北京德恒律治知识产权代理有限公司代理人章社杲;李伟
摘要
提供一种用于在图像传感器中形成像素的系统和方法。在实施例中,一种半导体器件包含:图像传感器,图像传感器包含位于衬底中的第一像素区和第二像素区,第一像素区邻近第二像素区;位于第一像素区上方的第一抗反射涂层,第一抗反射涂层为第一波长范围的入射光减少反射;位于第二像素区上方的第二抗反射涂层,第二抗反射涂层为第二波长范围的入射光减少反射,第二波长范围不同于第一波长范围。本发明实施例还提供一种半导体器件及制造图像传感器器件的方法。

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