无电子传输层和空穴传输层钙钛矿太阳能电池及制作方法

发明专利有效专利

申请号：
CN202010733948.3
IPC分类号：H01L31/0216;H01L31/0224;H01L31/032;H01L31/06;H01L31/18
申请日期：
2020-07-24
申请人：
西安电子科技大学

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法律信息

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著录项信息

专利名称	无电子传输层和空穴传输层钙钛矿太阳能电池及制作方法
申请号	CN202010733948.3	申请日期	2020-07-24
法律状态	实质审查	申报国家	中国
公开/公告日	2020-10-16	公开/公告号	CN111785787A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	H01L31/0216 ? IPC结构图谱： H 电学 H9 电学 H01 基本电气元件 H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G 9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中半导体器件的使用见该应用的小类）〔2〕 H01L31/00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或设备；其零部件（H01L 51/42优先；由形成在一共用衬底内或其上的多个固态组件，而不是辐射敏感元件与一个或多个电光源的结合所组成的器件入H01L 27/00）〔2，6，8〕 H01L31/02 零部件〔2〕 H01L31/0216 涂层（H01L31/041优先）〔5，2014.01〕	IPC分类号	H;0;1;L;3;1;/;0;2;1;6;;;H;0;1;L;3;1;/;0;2;2;4;;;H;0;1;L;3;1;/;0;3;2;;;H;0;1;L;3;1;/;0;6;;;H;0;1;L;3;1;/;1;8查看分类表>
申请人	西安电子科技大学	申请人地址	陕西省西安市碑林区太白南路2号变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	西安电子科技大学	当前权利人	西安电子科技大学
发明人	朱卫东;张泽阳;张春福;陈大正;张进成;郝跃
代理机构	西安通大专利代理有限责任公司	代理人	姚咏华

摘要

本发明公开了一种无电子传输层和空穴传输层钙钛矿太阳能电池及制作方法，包括自下而上依次分布的FTO衬底、FTO电极、PEIE修饰层和钙钛矿光活性层，在钙钛矿光活性层上方设有阳极，在FTO衬底上方设有阴极。其结构中避免了使用有机‑无机杂化铅卤钙钛矿材料、有机空穴传输层材料、昂贵的金属电极，同时摒弃了电子传输层；PEIE材料沉积于FTO电极上，该方法可在其表面引入单分子层，在FTO电极与钙钛矿光活性层之间形成了界面偶极子，进而降低了FTO电极表面的功函数，使得FTO电极与CsPbIBr2光活性层的能级更加匹配。极大地抑制了光生载流子间的复合。同时器件的开路电压和填充系数得到了明显的改善。

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