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FDSOI的制造方法

发明专利有效专利
  • 申请号:
    CN202011251767.3
  • IPC分类号:H01L21/762
  • 申请日期:
    2020-11-11
  • 申请人:
    上海华力集成电路制造有限公司
著录项信息
专利名称FDSOI的制造方法
申请号CN202011251767.3申请日期2020-11-11
法律状态实质审查申报国家中国
公开/公告日2021-02-19公开/公告号CN112382605A
优先权暂无优先权号暂无
主分类号H01L21/762IPC分类号H;0;1;L;2;1;/;7;6;2查看分类表>
申请人上海华力集成电路制造有限公司申请人地址
上海市浦东新区康桥东路298号1幢1060室 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人上海华力集成电路制造有限公司当前权利人上海华力集成电路制造有限公司
发明人李中华;陈宇峰
代理机构上海浦一知识产权代理有限公司代理人郭立
摘要
本发明公开了一种FDSOI的制造方法,包括如下步骤:步骤一,提供一FDSOI衬底结构,所述FDSOI衬底结构包含硬掩膜层、绝缘体上硅、埋层氧化层和硅衬底;所述埋层氧化层形成于硅衬底表面,所述绝缘体上硅形成于所述埋层氧化层表面,所述硬掩膜层形成于所述绝缘体上硅表面;步骤二,涂布光刻胶并显影,界定出混合区域;步骤三,刻蚀去除混合区域的硬掩膜层、绝缘体上硅,并横向去除绝缘体上硅形成沟槽;步骤四,刻蚀去除混合区域的埋层氧化层;步骤五,去除光刻胶及刻蚀残余物;步骤六,在所述混合区域外延生长硅。本发明实现FDSOI工艺中无鼓包且平坦化的硅外延层,从而降低工艺缺陷,扩大FDSOI工艺窗口,提高器件性能及产品良率。

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