PMOS器件漏电测量方法

发明专利有效专利

申请号：
CN201410253237.0
IPC分类号：H01L21/66
申请日期：
2014-06-09
申请人：
上海华力微电子有限公司

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著录项信息

专利名称	PMOS器件漏电测量方法
申请号	CN201410253237.0	申请日期	2014-06-09
法律状态	授权	申报国家	中国
公开/公告日	2014-08-20	公开/公告号	CN103996637A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	H01L21/66 ? IPC结构图谱： H 电学 H9 电学 H01 基本电气元件 H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G 9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中半导体器件的使用见该应用的小类）〔2〕 H01L21/00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备〔2，8〕 H01L21/66 在制造或处理过程中的测试或测量〔2〕	IPC分类号	H;0;1;L;2;1;/;6;6查看分类表>
申请人	上海华力微电子有限公司	申请人地址	上海市浦东新区张江开发区高斯路568号变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	上海华力微电子有限公司	当前权利人	上海华力微电子有限公司
发明人	杜宏亮
代理机构	上海思微知识产权代理事务所（普通合伙）	代理人	王宏婧

摘要

一种PMOS器件漏电测量方法，包括：将形成有CMOS器件的晶圆放在测试托盘上，其中CMOS器件包括形成在同一衬底上的成对的PMOS器件和NMOS器件；而且，PMOS器件包括形成在衬底中的N阱中的P型漏极、P型源极以及N型体区接触区，NMOS器件包括形成在衬底中的P阱中的N型漏极、N型源极以及P型体区接触区；N阱与P阱通过隔离区电隔离；以及在对NMOS器件的接触区施加与N型体区接触区上的电压相同的电压的情况下对PMOS器件执行漏电测量。本发明提供了一种PMOS器件漏电测量方法，其能够在不改变现有CMOS器件的布局的状况下，解决测试中出现的PMOS关闭状态漏电偏大的情况，提升器件的利用效率，从而减少布局占用面积，达到降低成本的目的。

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
该专利没有引用任何外部专利数据！

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