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半导体器件及其制造方法

发明专利无效专利
  • 申请号:
    CN200810184367.8
  • IPC分类号:H01L21/768H01L23/522
  • 申请日期:
    2008-12-10
  • 申请人:
    东部高科股份有限公司
著录项信息
专利名称半导体器件及其制造方法
申请号CN200810184367.8申请日期2008-12-10
法律状态权利终止申报国家中国
公开/公告日2009-07-01公开/公告号CN101471285
优先权暂无优先权号暂无
主分类号H01L21/768IPC分类号H01L21/768;H01L23/522查看分类表>
申请人东部高科股份有限公司申请人地址
韩*** 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人东部高科股份有限公司当前权利人东部高科股份有限公司
发明人郑恩洙
代理机构隆天国际知识产权代理有限公司代理人郑小军;冯志云
摘要
本发明提供一种半导体器件及制造方法,其在最大化半导体器件的集成度同时将线宽减到最小。其中该方法包括在半导体衬底上形成层间绝缘膜,在该层间绝缘膜中形成第一通孔,在所述第一通孔中形成树脂材料,在所述层间绝缘膜中侧向邻近地形成多个第二通孔,在所述多个第二通孔中形成树脂材料,同时形成多个第三通孔和沟槽,所述多个第三通孔在所述层间绝缘膜中形成,该沟槽在空间上位于所述第一通孔空间上方且与其对应,移除形成在所述第一通孔和所述多个第二通孔中的树脂,在所述第一通孔、第二通孔和第三通孔以及沟槽中同时形成金属层。通过双重成像形成适用于双镶嵌工艺的金属层,将光刻中的线宽减到最小且具有最大化半导体器件集成度的效果。

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