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一种抑制自掺杂的双层掩膜工艺

发明专利无效专利
  • 申请号:
    CN201710775458.8
  • IPC分类号:H01L21/02
  • 申请日期:
    2017-08-31
  • 申请人:
    北京燕东微电子有限公司
著录项信息
专利名称一种抑制自掺杂的双层掩膜工艺
申请号CN201710775458.8申请日期2017-08-31
法律状态驳回申报国家中国
公开/公告日2018-01-19公开/公告号CN107611011A
优先权暂无优先权号暂无
主分类号H01L21/02IPC分类号H;0;1;L;2;1;/;0;2查看分类表>
申请人北京燕东微电子有限公司申请人地址
北京市朝阳区东直门外西八间房万红西街2号 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人北京燕东微电子有限公司当前权利人北京燕东微电子有限公司
发明人周源;郭艳华;李明宇;张欣慰
代理机构北京成创同维知识产权代理有限公司代理人蔡纯;张靖琳
摘要
本发明公开了一种抑制自掺杂的双层掩膜工艺,包括:在半导体衬底彼此相对的第一表面和第二表面以及连接所述第一表面和所述第二表面的周边侧壁上形成第一掩膜;在所述第一掩膜表面形成第二掩膜;以及去除位于所述第一表面上方的所述第二掩膜。根据该工艺得到的双层掩膜可有效避免半导体衬底的边缘和背面被掺杂,从而降低了外延层制作的难度,提高了外延层的质量,本领域技术人员可以在制程的任意环节制作该临时背封层,并可以在制程中通过调整工艺,灵活的选择去除该临时背封层的时机。

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