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一种互连结构及其制作方法

发明专利有效专利
  • 申请号:
    CN201110401441.9
  • IPC分类号:H01L23/538;H01L21/768
  • 申请日期:
    2011-12-06
  • 申请人:
    上海集成电路研发中心有限公司
著录项信息
专利名称一种互连结构及其制作方法
申请号CN201110401441.9申请日期2011-12-06
法律状态授权申报国家中国
公开/公告日2012-04-04公开/公告号CN102403304A
优先权暂无优先权号暂无
主分类号H01L23/538IPC分类号H;0;1;L;2;3;/;5;3;8;;;H;0;1;L;2;1;/;7;6;8查看分类表>
申请人上海集成电路研发中心有限公司申请人地址
上海市浦东新区张江高斯路497号 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人上海集成电路研发中心有限公司当前权利人上海集成电路研发中心有限公司
发明人赵宇航;康晓旭
代理机构上海天辰知识产权代理事务所(特殊普通合伙)代理人吴世华;林彦之
摘要
本发明涉及一种互连结构及其制作方法,采用牺牲层在互连介质之间形成空腔,使用碳纳米管作为局部互连的通孔互连材料,使用石墨烯纳米带作为金属线互连材料,互连介质中含有空腔,并使用传统CMOS后道铜互连技术应用在中间互连层次和全局互连层次中,可以有效地解决铜互连技术在局部互连尺寸较小时带来的高寄生电阻和寄生电容问题,其中通孔或接触孔内的碳纳米管和用于连接碳纳米管的石墨烯纳米带大幅度降低寄生电阻,互连介质中的空腔有效地降低层间寄生电容,同时石墨烯纳米带很薄,其连线之间的寄生电容也大幅度得到降低;本发明还兼容了现有的CMOS铜互连技术,有效地降低互连RC延迟,提高芯片性能,控制芯片成本。

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