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一种斜体式氧化沟

发明专利有效专利
  • 申请号:
    CN201610072217.2
  • IPC分类号:C02F3/30
  • 申请日期:
    2016-01-29
  • 申请人:
    天津科技大学
著录项信息
专利名称一种斜体式氧化沟
申请号CN201610072217.2申请日期2016-01-29
法律状态授权申报国家中国
公开/公告日2016-04-20公开/公告号CN105502661A
优先权暂无优先权号暂无
主分类号C02F3/30IPC分类号C;0;2;F;3;/;3;0查看分类表>
申请人天津科技大学申请人地址
天津市河西区大沽南路1038号 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人天津科技大学当前权利人天津科技大学
发明人杨宗政;林玉科;胡钰彬;董春霞;张健;高雄
代理机构天津合正知识产权代理有限公司代理人陈松
摘要
本发明公开一种斜体式氧化沟,该斜体式氧化沟主要包括:依次串联连接的好氧池,兼氧池,厌氧池,缺氧池,二沉池和清水池;所述斜体式氧化沟,通过三道圆弧型导流墙、三道直线型导流墙、一道固定式溢流堰和一道移动式溢流堰将其分为好氧池,兼氧池,厌氧池,缺氧池,二沉池和清水池;所述的好氧池、兼氧池、厌氧池和缺氧池的底部安装两台转刷曝气机;所述斜体式氧化沟底部设有可拆卸的支撑柱。该斜体式氧化沟采用一体化的设计,使用灵活方便,可广泛用于小水量的生活污水的处理。

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