增加氮化物只读存储器阵列的抹除均匀性的结构及方法

发明专利有效专利

申请号：
CN200610075472.9
IPC分类号：G11C16/14;G11C11/56
申请日期：
2006-04-20
申请人：
旺宏电子股份有限公司

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著录项信息

专利名称	增加氮化物只读存储器阵列的抹除均匀性的结构及方法
申请号	CN200610075472.9	申请日期	2006-04-20
法律状态	授权	申报国家	中国
公开/公告日	2007-02-28	公开/公告号	CN1921014
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	G11C16/14 ? IPC结构图谱： G 物理 G9 G部其他 G11 信息存储 G11C 静态存储器（基于记录载体和换能器之间的相对运动而实现的信息存储入G11B；半导体存储器件入H01L，例如一般脉冲技术入H03K，例如，电子开关入H03K17/00） G11C16/00 可擦除可编程序只读存储器（G11C 14/00优先）〔5〕 G11C16/02 电可编程序的〔5〕 G11C16/06 辅助电路，例如，用于写入存储器的（一般入G11C 7/00）〔5〕 G11C16/10 编程或数据输入电路〔7〕 G11C16/14 用于电擦除的电路，例如擦除电压开关电路〔7〕	IPC分类号	G;1;1;C;1;6;/;1;4;;;G;1;1;C;1;1;/;5;6查看分类表>
申请人	旺宏电子股份有限公司	申请人地址	中国台湾新竹科学工业园区变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	旺宏电子股份有限公司	当前权利人	旺宏电子股份有限公司
发明人	林清淳;陈耕晖;郭乃萍;陈汉松;洪俊雄;谢文义
代理机构	北京市柳沈律师事务所	代理人	吕晓章;李晓舒

摘要

一种增加氮化物只读存储器(Nitride Read-Only Memory，NROM)阵列的抹除均匀性的方法。NROM内存阵列具有数个NROM存储单元、耦接在这些NROM存储单元的左侧的数个偶序金属位线以及耦接在这些NROM存储单元的右侧的数个奇序金属位线。此方法包括：首先，抹除这些NROM存储单元的左侧。接着，施加正电压至耦接在这些NROM存储单元的左侧的这些偶序金属位线。然后，将耦接各NROM存储单元的右侧的这些奇序金属位线放电至共同节点。

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