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电极结构、氮化镓基半导体器件及其制造方法

发明专利有效专利
  • 申请号:
    CN201210215829.4
  • IPC分类号:H01L29/772;H01L29/45
  • 申请日期:
    2012-06-27
  • 申请人:
    三星电子株式会社
著录项信息
专利名称电极结构、氮化镓基半导体器件及其制造方法
申请号CN201210215829.4申请日期2012-06-27
法律状态授权申报国家中国
公开/公告日2013-05-08公开/公告号CN103094334A
优先权暂无优先权号暂无
主分类号H01L29/772
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IPC结构图谱:
IPC分类号H;0;1;L;2;9;/;7;7;2;;;H;0;1;L;2;9;/;4;5查看分类表>
申请人三星电子株式会社申请人地址
韩国京畿道 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人三星电子株式会社当前权利人三星电子株式会社
发明人李政烨;鲜于文旭;文彰烈;朴用永;梁佑荣;黄仁俊
代理机构北京市柳沈律师事务所代理人王新华
摘要
本发明提供了一种电极结构、包括该电极结构的GaN基半导体器件及其制造方法。该GaN基半导体器件可以包括:GaN基半导体层;以及在GaN基半导体层上的电极结构。该电极结构可以包括:包括导电材料的电极元件;以及在电极元件和GaN基半导体层之间的扩散层。该扩散层可以包括关于GaN基半导体层为n型掺杂剂的材料并且该扩散层接触GaN基半导体层。例如,扩散层可以包括从Ge、Si、Sn、Pb、GeSi及其组合中选出的至少一种。GaN基半导体层的接触扩散层的区域可以用所述n型掺杂剂掺杂。该GaN基半导体层可以包括例如GaN层和AlGaN层。GaN基半导体器件可以是高电子迁移率晶体管(HEMT)和/或可以是功率器件。

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