应变绝缘体上半导体结构以及应变绝缘体上半导体结构的制造方法

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专利名称	应变绝缘体上半导体结构以及应变绝缘体上半导体结构的制造方法
申请号	CN200580028046.3	申请日期	2005-08-03
法律状态	权利终止	申报国家	中国
公开/公告日	2007-09-26	公开/公告号	CN101044620
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	H01L27/01	IPC分类号	H;0;1;L;2;7;/;0;1查看分类表>
申请人	康宁股份有限公司	申请人地址	美国纽约州变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	康宁股份有限公司	当前权利人	康宁股份有限公司
发明人	K·P·加德卡尔;M·J·德杰纳卡;L·R·平克尼;B·G·艾特肯
代理机构	上海专利商标事务所有限公司	代理人	侯颖媖

摘要

本发明涉及具有应变半导体层的绝缘体上半导体结构。根据本发明的一个实施例，一种绝缘体上半导体结构具有包括半导体材料、附连到包括玻璃或玻璃陶瓷的第二层的第一层，且将半导体和玻璃或玻璃陶瓷的CTE选择成使第一层受到拉伸应变的作用。本发明还涉及该应变绝缘体上半导体层的制造方法。

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
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