发光二极管晶粒的制造方法

发明专利有效专利

申请号：
CN201711047753.8
IPC分类号：H01L33/12;H01L33/44;H01L33/32;H01L33/00
申请日期：
2017-10-31
申请人：
展晶科技（深圳）有限公司;荣创能源科技股份有限公司

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著录项信息

专利名称	发光二极管晶粒的制造方法
申请号	CN201711047753.8	申请日期	2017-10-31
法律状态	授权	申报国家	中国
公开/公告日	2019-05-07	公开/公告号	CN109728142A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	H01L33/12 ? IPC结构图谱： H 电学 H9 电学 H01 基本电气元件 H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G 9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中半导体器件的使用见该应用的小类）〔2〕 H01L33/00 至少有一个电位跃变势垒或表面势垒的专门适用于光发射的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或设备；这些半导体器件的零部件（H01L 51/00优先；由在一个公共衬底中或其上形成有多个半导体组件并包括具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒，专门适用于光发射的器件入H01L 27/15；半导体激光器入H01S 5/00）〔2，8，2010.01〕 H01L33/02 以半导体为特征的〔2010.01〕 H01L33/12 具有一个应力弛豫结构，例如缓冲层〔2010.01〕	IPC分类号	H;0;1;L;3;3;/;1;2;;;H;0;1;L;3;3;/;4;4;;;H;0;1;L;3;3;/;3;2;;;H;0;1;L;3;3;/;0;0查看分类表>
申请人	展晶科技（深圳）有限公司;荣创能源科技股份有限公司	申请人地址	广东省深圳市宝安区龙华街道办油松第十工业区东环二路二号变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	展晶科技（深圳）有限公司,荣创能源科技股份有限公司	当前权利人	展晶科技（深圳）有限公司,荣创能源科技股份有限公司
发明人	凃博闵;洪梓健;沈佳辉;黄建翔;彭建忠
代理机构	深圳市赛恩倍吉知识产权代理有限公司	代理人	暂无

摘要

一种发光二极管晶粒的制造方法，其包括如下步骤提供一第一基板；在所述第一基板一表面形成一缓冲层；在所述缓冲层远离所述第一基板的表面形成一紫外光屏蔽层；在所述紫外光屏蔽层远离所述缓冲层的表面磊晶生长形成至少一发光二极管晶粒；提供一第二基板，并在所述第二基板的一表面形成一胶粘层；将每一发光二极管晶粒远离所述第一基板的一侧通过所述胶粘层装设于所述第二基板；从所述第一基板远离所述发光二极管晶粒的一侧向所述第一基板照射紫外光，以将所述发光二极管晶粒与所述第一基板分离；蚀刻去除结合于所述发光二极管晶粒上的紫外光屏蔽层；以及去除所述第二基板及胶粘层，从而得到所述发光二极管晶。

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
该专利没有引用任何外部专利数据！

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