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半导体器件

实用新型专利有效专利
  • 申请号:
    CN201822196795.4
  • IPC分类号:H01L29/06;H01L29/20;H01L29/201;H01L29/78
  • 申请日期:
    2018-12-26
  • 申请人:
    瑞能半导体科技股份有限公司
著录项信息
专利名称半导体器件
申请号CN201822196795.4申请日期2018-12-26
法律状态授权申报国家中国
公开/公告日公开/公告号
优先权暂无优先权号暂无
主分类号H01L29/06IPC分类号H;0;1;L;2;9;/;0;6;;;H;0;1;L;2;9;/;2;0;;;H;0;1;L;2;9;/;2;0;1;;;H;0;1;L;2;9;/;7;8查看分类表>
申请人瑞能半导体科技股份有限公司申请人地址
江西省南昌市南昌县小蓝经济开发区汇仁大道266号2栋 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人瑞能半导体科技股份有限公司当前权利人瑞能半导体科技股份有限公司
发明人尹江龙;章剑锋;黄玉恩
代理机构北京东方亿思知识产权代理有限责任公司代理人段月欣
摘要
本实用新型提供一种半导体器件,包括依次层叠设置的第一电极层、衬底层、N‑型漂移区、源极结构及第二电极层;源极结构包括相互独立的N+掺杂区,以及环绕每个N+掺杂区设置的P基区,相邻的P基区彼此间隔;第二电极层包括源电极及栅电极,源电极对应并连接N+掺杂区及P基区设置,栅电极对应N+掺杂区、P基区及相邻P基区之间的N‑型漂移区设置,且栅电极与N‑型漂移区及源极结构之间通过栅氧化层连接;在栅氧化层与N‑型漂移区之间设置有AlxGa1‑xN层,AlxGa1‑xN层对应并连接N‑型漂移区,0<x≤1。本实用新型提供的半导体器件具有改善的积累层电阻及较高的工作效率。

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