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超结纵向双扩散金属氧化物半导体管

发明专利无效专利
  • 申请号:
    CN200910030066.4
  • IPC分类号:H01L29/78;H01L29/06;H01L29/36
  • 申请日期:
    2009-03-30
  • 申请人:
    东南大学
著录项信息
专利名称超结纵向双扩散金属氧化物半导体管
申请号CN200910030066.4申请日期2009-03-30
法律状态权利终止申报国家中国
公开/公告日2009-08-19公开/公告号CN101510561
优先权暂无优先权号暂无
主分类号H01L29/78
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IPC结构图谱:
IPC分类号H;0;1;L;2;9;/;7;8;;;H;0;1;L;2;9;/;0;6;;;H;0;1;L;2;9;/;3;6查看分类表>
申请人东南大学申请人地址
江苏省南京市四牌楼2号 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人东南大学当前权利人东南大学
发明人钱钦松;刘侠;孙伟锋;华国环;陆生礼;时龙兴
代理机构南京经纬专利商标代理有限公司代理人陆志斌
摘要
一种超结纵向双扩散金属氧化物半导体管,包括:兼做漏区的N型掺杂硅衬底、N型掺杂硅外延层、原胞区域、设在原胞区域周围的终端区域及位于原胞区域与终端区域之间的过渡区域,所述的N型掺杂硅外延层设在N型掺杂硅衬底上,原胞区域和终端区域设在N型掺杂硅外延层上,所述晶体管的终端区域包括第一超结结构和N型硅掺杂半导体区,其中第一超结结构包括N型柱和P型柱,在N型硅掺杂半导体区中设有横向P型柱和高浓度N型区域,在第一超结结构和N型硅掺杂半导体区的表面设有一层高浓度的N型薄层,在N型薄层上设有场氧化层,其特征在于在N型硅掺杂半导体区内设有横向P型柱以及在晶体管终端区域的表面设有一层高浓度的N型薄层。

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