氮化物半导体基板、层叠结构体和氮化物半导体基板的制造方法

发明专利有效专利

申请号：
CN202080011565.3
IPC分类号：C30B29/38;C30B25/18
申请日期：
2020-01-23
申请人：
赛奥科思有限公司;住友化学株式会社

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专利名称	氮化物半导体基板、层叠结构体和氮化物半导体基板的制造方法
申请号	CN202080011565.3	申请日期	2020-01-23
法律状态	实质审查	申报国家	中国
公开/公告日	2021-09-07	公开/公告号	CN113366159A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	C30B29/38 ? IPC结构图谱： C 化学；冶金 C2 冶金 C30 晶体生长〔3〕 C30B 单晶生长（用超高压的，例如用于金刚石形成的入B01J 3/06）；共晶材料的定向凝固或共析材料的定向分层；材料的区熔精炼（金属或合金的区熔精炼入C22B）；具有一定结构的均匀多晶材料的制备（金属铸造，按同样工艺或装置的其他物质铸造入B22D；塑料的加工入B29；改变金属或合金的物理结构入C21D、C22F）；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料之后处理（用于半导体器件或元件生产的入H01L）；其所用的装置〔3〕 C30B29/00 以材料或形状为特征的单晶或具有一定结构的均匀多晶材料〔3，5〕 C30B29/10 无机化合物或组合物〔3〕 C30B29/38 氮化物〔3〕	IPC分类号	C;3;0;B;2;9;/;3;8;;;C;3;0;B;2;5;/;1;8查看分类表>
申请人	赛奥科思有限公司;住友化学株式会社	申请人地址	日本茨城县变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	赛奥科思有限公司,住友化学株式会社	当前权利人	赛奥科思有限公司,住友化学株式会社
发明人	吉田丈洋
代理机构	北京林达刘知识产权代理事务所（普通合伙）	代理人	刘新宇;李茂家

摘要

一种氮化物半导体基板，其由III族氮化物半导体的单晶形成，且具有最近的低指数晶面为(0001)面的主面，所述氮化物半导体基板具有以除了(0001)面之外的倾斜界面作为生长面而生长的倾斜界面生长区域，倾斜界面生长区域在主面中所占的面积比例为80％以上，利用多光子激发显微镜以250μm见方的视野观察主面，由暗点密度求出位错密度时，主面中不存在位错密度超过3×106cm‑2的区域，主面以100个/cm2以上的密度具有不重叠的50μm见方的无位错区域。

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