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用于增强MIS结构的电绝缘和动态性能的方法和结构

发明专利无效专利
  • 申请号:
    CN201110430576.8
  • IPC分类号:H01L21/336;H01L29/78;H01L29/423;H01L29/36
  • 申请日期:
    2011-12-14
  • 申请人:
    意法半导体股份有限公司
著录项信息
专利名称用于增强MIS结构的电绝缘和动态性能的方法和结构
申请号CN201110430576.8申请日期2011-12-14
法律状态撤回申报国家中国
公开/公告日2012-07-11公开/公告号CN102569093A
优先权暂无优先权号暂无
主分类号H01L21/336IPC分类号H;0;1;L;2;1;/;3;3;6;;;H;0;1;L;2;9;/;7;8;;;H;0;1;L;2;9;/;4;2;3;;;H;0;1;L;2;9;/;3;6查看分类表>
申请人意法半导体股份有限公司申请人地址
意大利阿格拉布里安扎 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人意法半导体股份有限公司当前权利人意法半导体股份有限公司
发明人A·伯兹;C·科科瑞斯;G·莫瑞尔;D·雷皮克
代理机构北京市金杜律师事务所代理人王茂华
摘要
本发明的实施例提供一种用于增强包括垂直场平板的MIS结构的电绝缘和动态性能的方法和结构。在一种MIS结构中,通过使用绝缘氧化物层将场平板电极并入在掩埋栅极电极之下,该绝缘氧化物层与栅极介电层同时形成。为了获得较好的动态性能和增强的介电强度,例如通过加入期望的高浓度的砷修改了场平板电极的氧化性能。

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