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光发射元件及其制造方法

发明专利无效专利
  • 申请号:
    CN200410076968.9
  • IPC分类号:H01L51/52;H01L51/56
  • 申请日期:
    2004-08-30
  • 申请人:
    株式会社半导体能源研究所
著录项信息
专利名称光发射元件及其制造方法
申请号CN200410076968.9申请日期2004-08-30
法律状态权利终止申报国家中国
公开/公告日2005-03-23公开/公告号CN1599528
优先权暂无优先权号暂无
主分类号H01L51/52IPC分类号H;0;1;L;5;1;/;5;2;;;H;0;1;L;5;1;/;5;6查看分类表>
申请人株式会社半导体能源研究所申请人地址
日本神奈川县 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人株式会社半导体能源研究所当前权利人株式会社半导体能源研究所
发明人坂田淳一郎;村上雅一;森谷幸司;及川欣聪;浅见勇臣;大谷久
代理机构上海专利商标事务所有限公司代理人项丹
摘要
根据本发明,一个绝缘的或半绝缘的具有隧道电流能流过的厚度的壁垒层设置在空穴注入电极和带有空穴传输特性的有机化合物层(空穴注入层或空穴传输层)之间。具体地说,含有硅或二氧化硅的绝缘的或半绝缘的薄壁垒层;硅或二氧化硅和光传送导电氧化物材料;或硅或二氧化硅,光传送导电氧化物材料,以及碳可以被设置在由光传送导电氧化物材料形成的光传送导电氧化物薄膜和含有有机化合物的空穴注入层之间。

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