晶体生长装置

实用新型专利有效专利

申请号：
CN202023342227.4
IPC分类号：C30B29/34;C30B15/10;C30B15/34
申请日期：
2020-12-30
申请人：
清远先导材料有限公司

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著录项信息

专利名称	晶体生长装置
申请号	CN202023342227.4	申请日期	2020-12-30
法律状态	授权	申报国家	中国
公开/公告日		公开/公告号
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	C30B29/34 ? IPC结构图谱： C 化学；冶金 C2 冶金 C30 晶体生长〔3〕 C30B 单晶生长（用超高压的，例如用于金刚石形成的入B01J 3/06）；共晶材料的定向凝固或共析材料的定向分层；材料的区熔精炼（金属或合金的区熔精炼入C22B）；具有一定结构的均匀多晶材料的制备（金属铸造，按同样工艺或装置的其他物质铸造入B22D；塑料的加工入B29；改变金属或合金的物理结构入C21D、C22F）；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料之后处理（用于半导体器件或元件生产的入H01L）；其所用的装置〔3〕 C30B29/00 以材料或形状为特征的单晶或具有一定结构的均匀多晶材料〔3，5〕 C30B29/10 无机化合物或组合物〔3〕 C30B29/34 硅酸盐〔3〕	IPC分类号	C;3;0;B;2;9;/;3;4;;;C;3;0;B;1;5;/;1;0;;;C;3;0;B;1;5;/;3;4查看分类表>
申请人	清远先导材料有限公司	申请人地址	广东省清远市高新区百嘉工业园27-9号变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	清远先导材料有限公司	当前权利人	清远先导材料有限公司
发明人	狄聚青;朱刘;刘运连;薛帅;唐俊杰
代理机构	北京五洲洋和知识产权代理事务所（普通合伙）	代理人	张向琨

摘要

本公开提供了一种晶体生长装置，其包括坩埚组件、模具组件和多个籽晶杆，坩埚组件包括坩埚、坩埚盖和连接杆，坩埚盖盖设在坩埚的上端并设有上下贯通的通孔，连接杆的下端连接于坩埚盖；模具组件设置于坩埚中，模具组件的上端从通孔伸出，模具组件包括两个导板和至少一个隔板，两个导板沿宽度方向相对且间隔有间隙，隔板设置于间隙中，隔板将间隙分隔成多个通道；多个籽晶杆悬设于通孔的上方，各籽晶杆对应一个通道。本公开的晶体生长装置，能够直接生产出尺寸符合要求的晶条，避免了对晶条再次进行切割等尺寸加工，提高了产品的利用率，避免了原料的浪费。

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
该专利没有引用任何外部专利数据！

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