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III族氮化物基化合物半导体发光器件及其制造方法

发明专利有效专利
  • 申请号:
    CN200980124817.7
  • IPC分类号:H01L33/00
  • 申请日期:
    2009-09-17
  • 申请人:
    丰田合成株式会社
著录项信息
专利名称III族氮化物基化合物半导体发光器件及其制造方法
申请号CN200980124817.7申请日期2009-09-17
法律状态授权申报国家中国
公开/公告日2011-05-25公开/公告号CN102077370A
优先权暂无优先权号暂无
主分类号H01L33/00IPC分类号H;0;1;L;3;3;/;0;0查看分类表>
申请人丰田合成株式会社申请人地址
日本爱知县 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人丰田合成株式会社当前权利人丰田合成株式会社
发明人奥野浩司
代理机构北京集佳知识产权代理有限公司代理人蔡胜有;顾晋伟
摘要
本发明的目的是改善多量子阱结构的III族氮化物基化合物半导体发光器件的光提取效率。所述器件包括多量子阱结构,所述多量子阱结构包括阱层,其包括组成中至少具有In的半导体;保护层,其包括组成中至少具有Al和Ga的半导体,其带隙大于所述阱层的带隙,并且其接触并形成在所述阱层的正电极侧上。所述器件还包括势垒层,其带隙大于所述阱层的带隙并且小于所述保护层的带隙,并且其接触并形成在所述保护层的正电极侧上;和所述阱层、所述保护层和所述势垒层的周期性结构。

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