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半导体制造方法及装置

发明专利有效专利
  • 申请号:
    CN200610126326.4
  • IPC分类号:G03F7/20;H01L21/027
  • 申请日期:
    2006-08-30
  • 申请人:
    三星电子株式会社
著录项信息
专利名称半导体制造方法及装置
申请号CN200610126326.4申请日期2006-08-30
法律状态授权申报国家中国
公开/公告日2007-08-22公开/公告号CN101021689
优先权暂无优先权号暂无
主分类号G03F7/20IPC分类号G;0;3;F;7;/;2;0;;;H;0;1;L;2;1;/;0;2;7查看分类表>
申请人三星电子株式会社申请人地址
韩国京畿道 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人三星电子株式会社当前权利人三星电子株式会社
发明人林钟昊
代理机构北京市柳沈律师事务所代理人陶凤波
摘要
本发明公开了一种使用传感装置读取在衬底上定义的域的表面层面的方法,该传感装置具有由多个单元构成的至少一个单元阵列。所述方法包括选择构成所述至少一个单元阵列的单元中的一些,并且指定所选择的单元作为可用的单元。将光照射到域的表面上,以及使用可用的单元感应从域的表面反射的光并且提取可用的层面信号。可用的层面信号可以计算来读取域的表面层面。域的表面层面用在控制曝光装置的层面的方法中,该曝光装置使用表面层面上、下、左、右、前、后和旋转方向上控制安装在平衡台上的衬底。

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