一种耗尽型GaN-HEMT功放的控制电路

发明专利有效专利

申请号：
CN201811429703.0
IPC分类号：H03F1/52;H03F3/21
申请日期：
2018-11-28
申请人：
电子科技大学

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著录项信息

专利名称	一种耗尽型GaN-HEMT功放的控制电路
申请号	CN201811429703.0	申请日期	2018-11-28
法律状态	授权	申报国家	中国
公开/公告日	2019-02-12	公开/公告号	CN109327197A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	H03F1/52 ? IPC结构图谱： H 电学 H9 电学 H03 基本电子电路 H03F 放大器（测量、试验入G01R；光参量放大器入G02F；具有二次发射管的电路装置入H01J 43/30；微波激射器，激光器入H01S；电动放大器入H02K；放大的控制入H03G；与放大器特性无关的耦合装置，分压器入H03H；只能处理脉冲的放大器入H03K；传输线路中的中继器电路入H04B 3/36、H04B 3/58；电话通信中音频放大器的应用入H04M 1/60，H04M 3/40） H03F1/00 只用电子管，只用半导体器件或只用未特别指明的器件作为放大元件的放大器的零部件 H03F1/52 保护此类放大器用的电路装置〔3〕	IPC分类号	H;0;3;F;1;/;5;2;;;H;0;3;F;3;/;2;1查看分类表>
申请人	电子科技大学	申请人地址	四川省成都市高新区（西区）西源大道2006号变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	电子科技大学	当前权利人	电子科技大学
发明人	杨远望;吴佳杰;游长江;江宇亭
代理机构	成都行之专利代理事务所（普通合伙）	代理人	温利平

摘要

本发明公开了一种耗尽型GaN‑HEMT功放的控制电路，通过稳压芯片U1的电压转换实现对逻辑门芯片的供电，再经过稳压芯片U2实现GaN‑HEMT功放栅极控制电压的输出，从而使稳压芯片U2产生并输出反馈信号，该反馈信号与控制GaN‑HEMT功放开关的控制电压V_Ctrl共同决定逻辑门的状态，当两个信号同时有效的情况下，逻辑门的输出控制NMOS管Q1的导通信号，进而使PMOS管Q2随之导通，从而输出GaN‑HEMT功放的漏极电压，实现GaN‑HEMT功放的上电保护及开关控制。

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
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