一种低损耗微带线结构

实用新型专利无效专利

申请号：
CN201821448346.8
IPC分类号：H01P3/08
申请日期：
2018-09-05
申请人：
昆明理工大学

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法律信息

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著录项信息

专利名称	一种低损耗微带线结构
申请号	CN201821448346.8	申请日期	2018-09-05
法律状态	权利终止	申报国家	中国
公开/公告日		公开/公告号
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	H01P3/08 ? IPC结构图谱： H 电学 H9 电学 H01 基本电气元件 H01P 波导；谐振器、传输线或其他波导型器件（工作在光频的入G02B） H01P3/00 波导；波导型传输线 H01P3/02 带有两个纵向导体的 H01P3/08 微带；带状线	IPC分类号	H;0;1;P;3;/;0;8查看分类表>
申请人	昆明理工大学	申请人地址	云南省昆明市五华区学府路253号变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	昆明理工大学	当前权利人	昆明理工大学
发明人	邢孟江;杨晓东;代传相;刘永红;刘赣
代理机构	暂无	代理人	暂无

摘要

本实用新型涉及一种低损耗微带线结构，属于电子技术领域。本实用新型包括一层微带线金属层、一层金属粘附层、一层衬底基板和一层金属接地层；金属接地层电镀在衬底基板下表面；金属粘附层通过半导体薄膜工艺制备在衬底基板上；微带线金属层通过半导体薄膜工艺制备在部分衬底基板上及整个金属粘附层上；其中，金属粘附层的沉积面积小于微带线金属层的面积。本实用新型具有低损耗、结构简单、附着性能稳定、易于集成、性价比高、温度特性好等优点。

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