一种用于微测辐射热计的氧化钒薄膜及其制作方法

发明专利无效专利

申请号：
CN201010222514.3
IPC分类号：C23C26/00;G01J5/20;H01C7/00
申请日期：
2010-07-09
申请人：
电子科技大学

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专利名称	一种用于微测辐射热计的氧化钒薄膜及其制作方法
申请号	CN201010222514.3	申请日期	2010-07-09
法律状态	权利终止	申报国家	中国
公开/公告日	2010-11-17	公开/公告号	CN101886261A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	C23C26/00 ? IPC结构图谱： C 化学；冶金 C2 冶金 C23 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制〔2〕 C23C 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆（挤压法制造包覆金属的产品入B21C23/22；通过将预先存在的薄层连接到制品上的方法用金属进行镀覆处理的见各有关位置，例如B21D39/00，B23K；玻璃的金属化入C03C；砂浆、混凝土、人造石、陶瓷或天然石的金属化入C04B41/00；金属的搪瓷或向金属上镀覆玻璃体层入c23D；用电解法或电泳法处理金属表面或镀覆金属入C25D；单晶膜生长入C30B；纺织品的金属化入D06M11/83；用局部金属化法装饰纺织品入D06Q1/04）〔4〕 C23C26/00 不包含在C23C 2/00至C23C 24/00各组中的镀覆〔4〕	IPC分类号	C;2;3;C;2;6;/;0;0;;;G;0;1;J;5;/;2;0;;;H;0;1;C;7;/;0;0查看分类表>
申请人	电子科技大学	申请人地址	四川省成都市高新区(西区)西源大道2006号变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	电子科技大学	当前权利人	电子科技大学
发明人	许向东;蒋亚东;周东;王志;杨书兵;吴志明;何少伟
代理机构	暂无	代理人	暂无

摘要

本发明公开了一种用于微测辐射热计的氧化钒薄膜的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：①清洗衬底，吹干后备用；②把事先制备好的原始、或已经功能化处理的碳纳米管放在烧杯当中，与有机溶剂混合，超声分散，然后，把分散液转移到经清洁处理的衬底的表面，使溶剂挥发，形成交错、互联的碳纳米管膜；③把步骤②得到的分散有碳纳米管膜的衬底放入抽为真空的反应器中，利用反应器生长一层氧化钒膜，所生长的氧化钒膜分散在碳纳米管的表面、以及管与管的间隙当中，退火，形成氧化钒-碳纳米管复合膜结构；④冷却至室温后，从反应器中取出；⑤根据需要，依次重复碳纳米管分散、氧化钒沉积和退火步骤，形成氧化钒-碳纳米管多层复合膜结构。

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
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