首页专利查询专利详情

*来源于国家知识产权局数据，仅供参考，实际以国家知识产权局展示为准

热处理炉及热处理装置

发明专利有效专利

申请号：
CN201210209936.6
IPC分类号：H01L21/67;H01L21/324
申请日期：
2012-06-20
申请人：
霓佳斯株式会社;东京毅力科创株式会社

基础信息

权利要求

说明书

PDF全文

法律信息

引证文献

著录项信息

专利名称	热处理炉及热处理装置
申请号	CN201210209936.6	申请日期	2012-06-20
法律状态	授权	申报国家	中国
公开/公告日	2012-12-26	公开/公告号	CN102842523A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	H01L21/67 ? IPC结构图谱： H 电学 H9 电学 H01 基本电气元件 H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G 9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中半导体器件的使用见该应用的小类）〔2〕 H01L21/00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备〔2，8〕 H01L21/67 专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置〔8〕	IPC分类号	H;0;1;L;2;1;/;6;7;;;H;0;1;L;2;1;/;3;2;4查看分类表>
申请人	霓佳斯株式会社;东京毅力科创株式会社	申请人地址	日本东京都变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	霓佳斯株式会社,东京毅力科创株式会社	当前权利人	霓佳斯株式会社,东京毅力科创株式会社
发明人	小林诚，山贺健一，佐佐木章，池田大延，小池贵浩
代理机构	北京林达刘知识产权代理事务所（普通合伙）	代理人	刘新宇;张会华

摘要

本发明提供热处理炉以及热处理装置。热处理炉包括：处理容器，其用于收容至少一个被热处理体；绝热部件，其呈圆筒状，用于覆盖该处理容器的周围；加热器，其沿该绝热部件的内周面配置，该加热器具有沿绝热部件的内周面呈螺旋状配置的波纹型的带状加热元件，加热元件具有向外侧突出的谷部和向内侧突出的峰部。

我浏览过的专利

专利服务由北京酷爱智慧知识产权代理公司提供