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一种零温漂电流偏置电路

发明专利有效专利
  • 申请号:
    CN201810712537.9
  • IPC分类号:G05F1/567
  • 申请日期:
    2018-06-29
  • 申请人:
    苏州锴威特半导体有限公司
著录项信息
专利名称一种零温漂电流偏置电路
申请号CN201810712537.9申请日期2018-06-29
法律状态实质审查申报国家中国
公开/公告日2018-10-12公开/公告号CN108646846A
优先权暂无优先权号暂无
主分类号G05F1/567
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IPC结构图谱:
IPC分类号G;0;5;F;1;/;5;6;7查看分类表>
申请人苏州锴威特半导体有限公司申请人地址
江苏省苏州市张家港经济开发区国泰北路1号科技创业园B幢511号 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人苏州锴威特半导体有限公司当前权利人苏州锴威特半导体有限公司
发明人张胜;谭在超;丁国华;罗寅
代理机构南京众联专利代理有限公司代理人吕书桁
摘要
本发明涉及一种零温漂电流偏置电路,包括基准电压产生电路和偏置电流产生电路,基准电压产生电路包括第一MOS管、第二MOS管、第三MOS管、第四MOS管、第五MOS管、第一三极管、第二三极管、第三三极管、第一电阻和第二电阻,第一MOS管、第二MOS管、第三MOS管采用共源共栅的结构,第一电阻连接在第四MOS管源极和第一三极管发射极之间,第五MOS管的源极连接第二三极管的发射极,第二电阻连接在第三MOS管漏极和第三三极管发射极之间,第一三极管、第二三极管、第三三极管的基极和集电极接地,偏置电流产生电路包括运算放大器、第六MOS管、第七MOS管、第八MOS管和第三电阻,基准电压产生电路连接运算放大器的正向输入端,第三电阻连接在第六MOS管源极与地之间。

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