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具有埋岛结构的绝缘栅双极型晶体管

发明专利无效专利
  • 申请号:
    CN201210333215.6
  • IPC分类号:H01L29/739;H01L29/06
  • 申请日期:
    2012-09-11
  • 申请人:
    电子科技大学
著录项信息
专利名称具有埋岛结构的绝缘栅双极型晶体管
申请号CN201210333215.6申请日期2012-09-11
法律状态撤回申报国家中国
公开/公告日2012-12-26公开/公告号CN102842612A
优先权暂无优先权号暂无
主分类号H01L29/739
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IPC结构图谱:
IPC分类号H;0;1;L;2;9;/;7;3;9;;;H;0;1;L;2;9;/;0;6查看分类表>
申请人电子科技大学申请人地址
变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人电子科技大学,东莞电子科技大学电子信息工程研究院当前权利人电子科技大学,东莞电子科技大学电子信息工程研究院
发明人张金平;杨文韬;李巍;夏小军;张灵霞;李泽宏;任敏;张波
代理机构成都行之专利代理事务所(普通合伙)代理人温利平
摘要
具有埋岛结构的绝缘栅双极型晶体管,属于功率半导体器件技术领域。本发明是在传统IGBT器件结构的基础上,在器件MOS结构表面下分别引入P型埋岛和N型载流子存储层结构。在正向阻断时,P型埋岛所引入的电荷及附加电场可以削弱MOS结构下的尖峰电场,从而提高器件的耐压。在正向导通时,高的N型载流子存储层的掺杂浓度或厚度,抬高了空穴的势垒,增强了发射极附近载流子的浓度,从而获得更好的载流子分布,降低器件的正向饱和压降并获得更好的正向导通压降和关断损耗的折中。所引入的P型埋岛和N型载流子存储层在P型基区形成之前通过离子注入和外延等工艺形成。本发明适用于从小功率到大功率的半导体功率器件和功率集成电路领域。

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