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一种具有P型埋岛结构的沟槽型绝缘栅双极型晶体管

发明专利无效专利
  • 申请号:
    CN201110309625.2
  • IPC分类号:H01L29/739;H01L29/10
  • 申请日期:
    2011-10-13
  • 申请人:
    电子科技大学
著录项信息
专利名称一种具有P型埋岛结构的沟槽型绝缘栅双极型晶体管
申请号CN201110309625.2申请日期2011-10-13
法律状态撤回申报国家中国
公开/公告日2012-02-15公开/公告号CN102354706A
优先权暂无优先权号暂无
主分类号H01L29/739
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IPC结构图谱:
IPC分类号H;0;1;L;2;9;/;7;3;9;;;H;0;1;L;2;9;/;1;0查看分类表>
申请人电子科技大学申请人地址
变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人电子科技大学,东莞电子科技大学电子信息工程研究院当前权利人电子科技大学,东莞电子科技大学电子信息工程研究院
发明人李泽宏;单亚东;张金平;张波;任敏
代理机构电子科技大学专利中心代理人葛启函
摘要
一种具有P型埋岛结构的沟槽型绝缘栅双极型晶体管,属于半导体功率器件技术领域。本发明在传统沟槽型绝缘栅双极型晶体管结构的基础上,在N-漂移区内引入P型埋岛结构。当器件反向阻断时,P型埋岛结构及其附近的N-漂移区耗尽,通过P型埋岛结构引入正电荷的附加电场,降低了沟槽型栅底部的电场尖峰,从而提高了器件的耐压。当器件正向导通时,所引入的P型埋岛结构对正向特性无影响。本发明适用于高压半导体功率器件和功率集成电路领域。

专利服务由北京酷爱智慧知识产权代理公司提供