半导体结构及其形成方法

发明专利有效专利

申请号：
CN201710134033.9
IPC分类号：H01L27/11551;H01L27/11524;H01L27/1157;H01L27/11578
申请日期：
2017-03-07
申请人：
长江存储科技有限责任公司

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著录项信息

专利名称	半导体结构及其形成方法
申请号	CN201710134033.9	申请日期	2017-03-07
法律状态	授权	申报国家	中国
公开/公告日	2017-06-13	公开/公告号	CN106847821A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	H01L27/11551 ? IPC结构图谱： H 电学 H9 电学 H01 基本电气元件 H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G 9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中半导体器件的使用见该应用的小类）〔2〕 H01L27/00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件（其零部件入H01L 23/00，H01L 29/00至H01L 51/00；由多个单个固态器件组成的组装件入H01L 25/00）〔2，8〕 H01L27/02 包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的〔2〕 H01L27/04 其衬底为半导体的〔2〕 H01L27/10 在重复结构中包括有多个独立组件的〔2〕 H01L27/105 包含场效应组件的〔5〕 H01L27/112 只读存储器结构的〔5〕 H01L27/115 电动编程只读存储器；其多步骤制造方法〔5，2006.01，2017.01〕 H01L27/11517 具有浮栅的〔2017.01〕　 H01L27/11551 以三维布置为特征的，例如，单元胞在不同的高度层〔2017.01〕	IPC分类号	H;0;1;L;2;7;/;1;1;5;5;1;;;H;0;1;L;2;7;/;1;1;5;2;4;;;H;0;1;L;2;7;/;1;1;5;7;;;H;0;1;L;2;7;/;1;1;5;7;8查看分类表>
申请人	长江存储科技有限责任公司	申请人地址	湖北省武汉市东湖开发区关东科技工业园华光大道18号7018室变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	长江存储科技有限责任公司	当前权利人	长江存储科技有限责任公司
发明人	何佳;黄海辉;刘藩东;杨要华;洪培真;夏志良;霍宗亮;冯耀斌;陈保友;曹清晨
代理机构	北京集佳知识产权代理有限公司	代理人	吴敏

摘要

一种半导体结构及其形成方法，方法包括：提供基底，沿延伸方向包括用于形成沟道通孔的第一区域和位于第一区域两侧的第二区域，沿第一区域指向第二区域的方向为第一方向，与第一方向垂直的是第二方向；在基底上形成叠层结构；在叠层结构上形成具有多个图形开口的光刻胶层，图形开口沿第一方向和第二方向呈类矩阵排列，与第二区域相邻的图形开口为第一开口，剩余为第二开口，第一开口尺寸大于第二开口尺寸，且第一开口沿第一方向的尺寸大于沿第二方向的尺寸；以光刻胶层为掩膜刻蚀叠层结构，形成沟道通孔。通过本发明技术方案，避免第一开口对应的沟道通孔尺寸过小且难以露出基底的问题、以及第一开口和相邻第二开口间距过小的问题。

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
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