一种Ni基单晶高温合金采用籽晶制备的方法

发明专利无效专利

申请号：
CN200710179683.1
IPC分类号：C30B29/52;C30B11/14;B22C9/04;B22D27/20
申请日期：
2007-12-17
申请人：
北京航空航天大学

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专利名称	一种Ni基单晶高温合金采用籽晶制备的方法
申请号	CN200710179683.1	申请日期	2007-12-17
法律状态	权利终止	申报国家	中国
公开/公告日	2008-09-03	公开/公告号	CN101255604
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	C30B29/52 ? IPC结构图谱： C 化学；冶金 C2 冶金 C30 晶体生长〔3〕 C30B 单晶生长（用超高压的，例如用于金刚石形成的入B01J 3/06）；共晶材料的定向凝固或共析材料的定向分层；材料的区熔精炼（金属或合金的区熔精炼入C22B）；具有一定结构的均匀多晶材料的制备（金属铸造，按同样工艺或装置的其他物质铸造入B22D；塑料的加工入B29；改变金属或合金的物理结构入C21D、C22F）；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料之后处理（用于半导体器件或元件生产的入H01L）；其所用的装置〔3〕 C30B29/00 以材料或形状为特征的单晶或具有一定结构的均匀多晶材料〔3，5〕 C30B29/10 无机化合物或组合物〔3〕 C30B29/52 合金〔3〕	IPC分类号	C;3;0;B;2;9;/;5;2;;;C;3;0;B;1;1;/;1;4;;;B;2;2;C;9;/;0;4;;;B;2;2;D;2;7;/;2;0查看分类表>
申请人	北京航空航天大学	申请人地址	北京市海淀区学院路37号变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	北京航空航天大学	当前权利人	北京航空航天大学
发明人	韩雅芳;李树索;蒋立武
代理机构	北京永创新实专利事务所	代理人	周长琪

摘要

本发明公开了一种Ni基单晶高温合金采用籽晶制备的方法，首先在Ni基单晶高温合金体上定向切割出具有一定晶体取向的籽晶，将籽晶沿伸入零件蜡模中，并在籽晶和零件蜡模的外部涂挂陶瓷耐火浆料，然后经脱蜡、培烧制得带有籽晶的陶瓷模壳，利用陶瓷模壳在单晶炉中浇注成型制备Ni基单晶高温合金材料。本发明单晶制备技术可以精确控制单晶的晶体取向及微观组织，制备优质的Ni基单晶高温合金材料。

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